El laboratorio de tecnología avanzada de Samsung ha presentado una
investigación que promete superar cualquier límite de los actuales
semiconductores basados en silicio, con un potencial teórico
impresionante que elevará la frecuencia de los chips hasta 300 GHz.
Si en las últimas generaciones de procesadores, las frecuencias base
varían entre los 2 y 4 GHz, los chips desbloqueados alcanzan los 5 GHz y
únicamente mediante técnicas avanzadas de overclocking con
refrigeración mediante nitrógeno líquido pueden alcanzarse velocidades de 7 u 8 GHz, los desarrollos basados en grafeno muestran un futuro prometedor.
En la actualidad, los dispositivos semiconductores consisten en miles
de millones de transistores de silicio. Para aumentar el rendimiento de
los semiconductores las opciones han sido reducir tanto el tamaño de
los transistores individuales para acortar la distancia de
desplazamiento de electrones, como utilizar un material con mayor
movilidad que permita una rápida velocidad de los electrones.
Durante los últimos 40 años, la industria ha ido aumentando el
rendimiento al reducir el tamaño. Sin embargo, los expertos creen que
ahora estamos cerca de los límites potenciales de reducción, aunque productores como Intel investigan ya en procesos de fabricación de 5 nanómetros.
Otros fabricantes como Samsung apuestan por un futuro distinto con nuevos materiales y aquí entra el grafeno. Descubierto en 2004, es el material más delgado y de mayor conductividad del mundo
(los electrones se mueven entre 10 y 100 veces más rápido que con el
silicio) por lo que su potencial le hace perfecto para rivalizar con él
como base para los chips utilizados en la electrónica, computación y
comunicaciones.
Últimas investigaciones
de las universidades británicas de Manchester y Cambridge, incluidos
los premios nobel de física 2010, están trabajando en ello, para
resolver uno de sus principales problemas, la poca capacidad de absorción de la luz visible del grafeno.
Su combinación con estructuras metálicas minúsculas llamadas
nanoestructuras plasmónicas incrementan la capacidad de absorción de luz
del material unas veinte veces.
Barristor de Samsung
La investigación de Samsung apunta a esa dirección con la creación de los ‘barristores’, un transistor de grafeno
que promete chips minúsculos de alta eficiencia y rendimiento, con
frecuencias de trabajo increíbles para la industria actual de 300 GHz.
Samsung no estará solo, ya que Intel o IBM están realizando
investigaciones con el grafeno como protagonista aunque se desconoce si
terminarán (y cuando) convirtiéndose en productos comerciales.
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